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쿠크다스 멜랑쥬

반도체소자 #8-1 PN접합 다이오드, IV 특성, 순전압에서의 carrier 농도

Chapter 8. PN Junction Diode 이전 단원에서는 '열평형'과 '역전압'상태에서의 PN접합 - 에너지밴드, Built-in potential barrier, 공핍영역과 전기장에 대해 알아보았다. 이번 단원에서는 역전압이 아닌, '순전압'에서 PN접합과 'I-V 특성'에 대해 알아볼 것이다. [8.0 Preview] ■ PN 다이오드에 순접압이 걸리는 상황에 대해 알아볼 것이다 - 전기장, 전위, carrier움직임 등 ■ 순전압이 걸리는 상황에서 excess minority carrier의 거동에 대해 알아 볼 것이다 ■ I-V 특성 그래프를 그려볼 것이다 ■ 지금까지의 가정 - Low level injection이 아닌 비이상적인 상황(non-ideal effect)에 대해 다루어 볼..
교육/반도체소자 2023. 8. 23. 16:27
반도체소자 #7-1 PN 접합 - 공핍영역의 길이, 전기장, 확산 전위(Built in Voltage)

Chapter 7. PN Junction 이때까지 물리전자를 공부하면서 우리는 반도체를 구성하는 물질의 기초적인 특성에 대해 공부하였다. 전자와 정공, 평형상태, 페르미 에너지 레벨, 준 평형상태, 비평형상태, 외인성 반도체, p-type, n-type, 등등 이번 단원에서는 현대 반도체의 기본이 되는 구조인 PN접합에 대해 알아볼 것이다. [7.0 Preview] ■ [가정] P,N 지역이 균일하게(uniformly) 도핑되어 있고 경계는 1차원 Step Junction을 이루고 있다. Majority carrier 농도는 doping 농도와 동일하다. ■ 평형상태에서의 PN접합 에너지 밴드를 알아 볼 것이다. ■ PN접합의 공핍층(Depletion region, Spcae Charge region)에..
교육/반도체소자 2023. 8. 7. 12:11
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