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쿠크다스 멜랑쥬

반도체소자 #7-2 Reverse Bias, 공핍영역 길이와 전기장, 일방접합(one-sided junction), 접합 정전용량(junction capacitance)

[7.3 역전압이 걸린 경우 Reverse Applied Bias] 이 때까진 PN 접합에 아무런 외력을 가하지 않은 상태만 살펴보았다.이제 양단에 전압을 걸어주는 상황에서 어떤 특징을 갖는지 알아보자. 그전에, 전압의 순방향과 역방향에 대해 정의하고 가자. 순방향: (+) P | N (-) 역방향: (-) P | N (+) 순방향의 경우 p영역에 (+) 전압이 걸리면 p영역의 에너지밴드는 더 낮아지고 n영역의 에너지밴드는 높아져서 결국 \(V_{bi}\)는 감소함을 유추할 수 있다. 반대로 역방향은 같은 원리로 \(V_{bi}\)가 높아짐을 유추 할 수 있다. (**에너지밴드는 전자의 에너지를 나타내는 척도라고 생각할 수 있다. 따라서 전자의 에너지를 공급해주는 음의 전압이 걸리는 쪽은 에너지밴드가 높..
교육/반도체소자 2023. 8. 7. 14:40
반도체소자 #7-1 PN 접합 - 공핍영역의 길이, 전기장, 확산 전위(Built in Voltage)

Chapter 7. PN Junction 이때까지 물리전자를 공부하면서 우리는 반도체를 구성하는 물질의 기초적인 특성에 대해 공부하였다. 전자와 정공, 평형상태, 페르미 에너지 레벨, 준 평형상태, 비평형상태, 외인성 반도체, p-type, n-type, 등등 이번 단원에서는 현대 반도체의 기본이 되는 구조인 PN접합에 대해 알아볼 것이다. [7.0 Preview] ■ [가정] P,N 지역이 균일하게(uniformly) 도핑되어 있고 경계는 1차원 Step Junction을 이루고 있다. Majority carrier 농도는 doping 농도와 동일하다. ■ 평형상태에서의 PN접합 에너지 밴드를 알아 볼 것이다. ■ PN접합의 공핍층(Depletion region, Spcae Charge region)에..
교육/반도체소자 2023. 8. 7. 12:11
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