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목록반도체 이론 (2)
쿠크다스 멜랑쥬

6.3 | 켤례전하 전송(AMBIPOLAR TRANSPORT) 균일하게 도핑된 반도체의 중성영역에서 과잉 캐리어 농도의 공간적 분포와 시간에 따른 변화는 켤례전하 전송방정식에 의해 지배된다 : 과잉 캐리어의 공간적,시간적 변화는 캐리어의 유입-유출과 생성-재결합에 의해 결정된다. 이제 이상적인 반도체에서 실제 반도체 모델로 넘어가면서 요소들을 하나씩 바꾸고 있다. 아까는 외부 요인에 의한 과잉캐리어 (excess carrier)에 대해 다뤘는데, 이번에는 전기장을 실제 상황에서의 전기장으로 바꿀 것이다. 이때까지는 외부에서 걸어준 전기장(E-field)만 고려했다. 하지만 외부 전기장\(E_{app}\)이 가해지면 내부에서는 과잉 캐리어가 생성될 것이고 이렇게 특정 공간에 생긴 과잉 캐리어들은 전하의 불..

4.3 | THE EXTRINSIC SEMICONDUCTOR (외인성 반도체) 우리가 외부 요소가 없는 반도체를 진성반도체(intrinsic semiconductor)라고 했고 평형상태에서 진성반도체를 살펴보았다. 실제 반도체는 impurity를 추가하여 전기적 성질을 적절히 조절한 반도체를 사용하는데 이를 외인성 반도체(extrinsic semiconductor)라고 한다. 외인성 반도체는 어떤 원소를 도핑하느냐에 따라 정공이 지배적일수도 있고 전자가 지배적일 수도 있다. 4.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes (전자와 정공의 평형상태 분포) donor 또는 acceptor를 추가할 경우 전자와 정공의 분포가 달라지는 것은 명확하다. 더불어 페르..