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쿠크다스 멜랑쥬

반도체소자 #8-1 PN접합 다이오드, IV 특성, 순전압에서의 carrier 농도

Chapter 8. PN Junction Diode 이전 단원에서는 '열평형'과 '역전압'상태에서의 PN접합 - 에너지밴드, Built-in potential barrier, 공핍영역과 전기장에 대해 알아보았다. 이번 단원에서는 역전압이 아닌, '순전압'에서 PN접합과 'I-V 특성'에 대해 알아볼 것이다. [8.0 Preview] ■ PN 다이오드에 순접압이 걸리는 상황에 대해 알아볼 것이다 - 전기장, 전위, carrier움직임 등 ■ 순전압이 걸리는 상황에서 excess minority carrier의 거동에 대해 알아 볼 것이다 ■ I-V 특성 그래프를 그려볼 것이다 ■ 지금까지의 가정 - Low level injection이 아닌 비이상적인 상황(non-ideal effect)에 대해 다루어 볼..
교육/반도체소자 2023. 8. 23. 16:27
물리전자개론#4-2 평형상태의 반도체,mass action law,페르미-디락 적분,축퇴와 비축퇴, 확률함수

4.3 | THE EXTRINSIC SEMICONDUCTOR (외인성 반도체) 우리가 외부 요소가 없는 반도체를 진성반도체(intrinsic semiconductor)라고 했고 평형상태에서 진성반도체를 살펴보았다. 실제 반도체는 impurity를 추가하여 전기적 성질을 적절히 조절한 반도체를 사용하는데 이를 외인성 반도체(extrinsic semiconductor)라고 한다. 외인성 반도체는 어떤 원소를 도핑하느냐에 따라 정공이 지배적일수도 있고 전자가 지배적일 수도 있다. 4.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes (전자와 정공의 평형상태 분포) donor 또는 acceptor를 추가할 경우 전자와 정공의 분포가 달라지는 것은 명확하다. 더불어 페르..
교육/물리전자개론 2022. 11. 2. 21:29
물리전자개론#4-1 평형상태의 캐리어 농도, 진성반도체, 페르미 에너지 레벨 위치, 도핑, 이온화 에너지

4.0 | PREVIEW In this chapter, we will: ■ Derive the thermal-equilibrium concentrations of electrons and holes in a semiconductor as a function of the Fermi energy level. ■ Discuss the process by which the properties of a semiconductor material can be favorably altered by adding specific impurity atoms to the semiconductor. ■ Determine the thermal-equilibrium concentrations of electrons and hole..
교육/물리전자개론 2022. 10. 29. 02:17
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