일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
Tags
- pn접합
- 삼성면접
- 반도체소자
- 반도체
- 반도체이론
- 전자농도
- 점진적 도핑
- 반도체 이론
- 당일치기
- 삼성전자DS
- 공핍영역
- DEPLETION REGION
- 공간 전하 영역
- 반도체 소자
- 공핍영역 넓이
- PN diode
- PN junction
- EE204
- 홀
- 취업준비
- 합격후기
- 물리전자개론
- 삼성전자
- 반도체연구소
- 맛집
- 무한리필
- 과잉캐리어
- SVP
- Lifetime
- minority carrier
Archives
- Today
- Total
목록보상반도체 (1)
쿠크다스 멜랑쥬

4.5 | CHARGE NEUTRALITY (전하 중립성) 평형상태에서는 중성인 원자만 주입했을 뿐, 우리가 추가적인 정공이나 전자를 넣어주지 않았기 때문에 전기적으로는 중성을 띈다. 물론 미시적으로 보자면 순간순간 에너지 상태에 따라 전자와 정공이 생성되지만 거시적으로 보았을 때는 중성을 말하는 것이다. 이러한 전하 중립조건은 열적 평형상태에서 전자와 정공의 농도를 도핑농도에 대한 함수로 표현(f(N))하는데 사용된다. 4.5.1 Compensated Semiconductors (보상 반도체) 보상 반도체는 같은 영역 내에 donor와 acceptor 원자가 동시에 존재하는 반도체이다(compenstated: 보상된, 보정한). n-type 반도체에 acceptor atom를 도핑하거나 반대로 p-ty..
교육/물리전자개론
2022. 11. 6. 22:16